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      半導體高溫儲存試驗測試標準

      作者:編輯:來源:發布時間:2020-06-12 10:27:00
      國際標準分類中,半導體高溫儲存試驗涉及到半導體分立器件。
      在中國標準分類中,半導體高溫儲存試驗涉及到半導體分立器件綜合、電力半導體器件、部件。
      國際電工委員會,關于半導體 高溫儲存試驗的標準
      IEC 60749-6-2017 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第6部分:高溫下儲存
      IEC 60749-6-2017 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第6部分:高溫下儲存
      IEC 60749-6 Corrigendum 1-2003 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第6部分:高溫下儲存
      IEC 60749-6-2002 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第6部分:高溫下儲存
      韓國標準,關于半導體 高溫儲存試驗的標準
      KS C IEC 60749-6-2004 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第6部分:高溫下儲存
      德國標準化學會,關于半導體 高溫儲存試驗的標準
      DIN EN 60749-6-2003 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第6部分:高溫儲存
      法國標準化協會,關于半導體 高溫儲存試驗的標準
      NF C96-022-6-2002 半導體裝置.機械和氣候試驗方法.第6部分:高溫下儲存
      英國標準學會,關于半導體 高溫儲存試驗的標準
      BS EN 60749-6-2002 半導體器件.機械和氣候試驗方法.高溫下儲存
      歐洲電工標準化委員會,關于半導體 高溫儲存試驗的標準
      EN 60749-6-2002 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第6部分:高溫下儲存 部分替代EN 60749-1999+A1-2000+A2-2001;IEC 60749-6-2002
      此文關鍵字:技術文章

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